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文献
J-GLOBAL ID：200902147717991144
整理番号：93A0649278
2段階成長法による均一μc-Siエミッタの形成とHBT素子特性
Formation of Uniform μc-Si Emitter by 2 Step Growth Method and HBT Device Characteristics.
佐々木公洋
(東京工大 大学院 総合理工学研究科)
,
引地徹
(東京工大 大学院 総合理工学研究科)
,
中沢享
(東京工大 大学院 総合理工学研究科)
,
古川静二郎
(東京工大 大学院 総合理工学研究科)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th 号： Pt 2 ページ： 745 発行年： 1993年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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