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文献
J-GLOBAL ID：200902147739494870
整理番号：02A0146723
集束イオンビームで作製したトランジスタにおける静電ポテンシャル分布の電子ホログラフィー評価
Electron holographic characterization of electrostatic potential distributions in a transistor sample fabricated by focused ion beam.
WANG Z
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
HIRAYAMA T
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
SASAKI K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SAKA H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KATO N
(International Test and Engineering Serv.(ITES) Co. Ltd., Shiga-ken, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 80 号： 2 ページ： 246-248 発行年： 2002年01月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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