文献
J-GLOBAL ID:200902147779817361
整理番号:95A0994648
In-Situ電気化学プロセスを用いたPt-Gate InP MESFETの製作
Fabrication of Pt-Gate InP MESFET by In-Situ Electrochemical Process.
著者 (4件):
宇野正一
(北大)
,
橋詰保
(北大)
,
葛西誠也
(北大)
,
長谷川英機
(北大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
95
号:
314(ED95 100-102)
ページ:
15-20
発行年:
1995年10月19日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)