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文献
J-GLOBAL ID：200902147792871243
整理番号：02A0267351
AlGaN/GaNベースの高性能UV発光ダイオードの作製
Fabrication of high performance of AlGaN/GaN-based UV light-emitting diodes.
WANG T
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
LIU Y H
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
LEE Y B
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
IZUMI Y
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
AO J P
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
BAI J
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
LI H D
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
SAKAI S
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 235 号： 1/4 ページ： 177-182 発行年： 2002年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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