文献
J-GLOBAL ID:200902147852611688
整理番号:99A0441994
CBE成長したGaInNAs/GaAs量子井戸の熱アニールとその光ルミネセンスにおよぼす効果
Thermal Annealing of GaInNAs/GaAs Quantum Wells Grown by Chemical Beam Epitaxy and Its Effect on Photoluminescence.
著者 (5件):
KAGEYAMA T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
MIYAMOTO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
MAKINO S
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOYAMA F
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
IGA K
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
38
号:
3B
ページ:
L298-L300
発行年:
1999年03月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)