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文献
J-GLOBAL ID：200902147939599447
整理番号：00A0520003
窒素ドープGe2Sb2Te5薄膜の結晶構造と微細構造
Crystal Structure and Microstructure of Nitrogen-Doped Ge2Sb2Te5 Thin Film.
JEONG T H
(LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
,
KIM M R
(LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
,
SEO H
(LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
,
PARK J W
(LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
,
YEON C
(LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 5A ページ： 2775-2779 発行年： 2000年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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