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文献
J-GLOBAL ID：200902147971760942
整理番号：95A0628043
6H-SiCへの窒素イオン注入と高温耐放射線性ダイオードへの応用
Nitrogen Ion Implantation into 6H-SiC and Application to High-Temperature, Radiation-Hard Diodes.
YAGUCHI S
(Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Kobe, JPN)
,
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
OHYAMA N
(Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 34 号： 6A ページ： 3036-3042 発行年： 1995年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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