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J-GLOBAL ID：200902147996397788 整理番号：97A0806619

金属/SiC接触のSchottky障壁高さの分析と,その高電圧整流素子への応用可能性

Analysis of Schottky Barrier Heights of Metal/SiC Contacts and Its Possible Application to High-Voltage Rectifying Devices.

著者 (2件)：

ITOH A

(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

MATSUNAMI H

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

資料名：

Physica Status Solidi. A. Applied Research (Physica Status Solidi. A. Applied Research)

巻： 162 号： 1 ページ： 389-408 発行年： 1997年07月16日
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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