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文献
J-GLOBAL ID:200902147996397788   整理番号:97A0806619

金属/SiC接触のSchottky障壁高さの分析と,その高電圧整流素子への応用可能性

Analysis of Schottky Barrier Heights of Metal/SiC Contacts and Its Possible Application to High-Voltage Rectifying Devices.
著者 (2件):
ITOH A
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)

巻: 162  号:ページ: 389-408  発行年: 1997年07月16日 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 0031-8965  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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