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文献
J-GLOBAL ID：200902148025080423
整理番号：99A0703204
高窒素圧下におけるGaN単結晶の成長とその特性評価
Growth of GaN Single Crystals under High Nitrogen Pressures and their Characterization.
KRUKOWSKI S
(High Pressure Res. Center, Warsaw, POL)
資料名：
Crystal Research and Technology
(Crystal Research and Technology)
巻： 34 号： 5/6 ページ： 785-795 発行年： 1999年
JST資料番号： B0738A ISSN： 0232-1300 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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