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文献
J-GLOBAL ID：200902148126303598
整理番号：94A0925698
Gauss分布の線形状ビームをもつエキシマレーザアニーリングによる非晶質シリコンの結晶化
Crystallization of Amorphous Silicon by Excimer Laser Annealing with a Line Shape Beam Having a Gaussian Profile.
JHON Y M
(Korea Inst. Science and Technology, Seoul, KOR)
,
KIM D H
(Korea Inst. Science and Technology, Seoul, KOR)
,
CHU H
(Korea Inst. Science and Technology, Seoul, KOR)
,
CHOI S S
(Korea Inst. Science and Technology, Seoul, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 33 号： 10B ページ： L1438-L1441 発行年： 1994年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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