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文献
J-GLOBAL ID：200902148193175952
整理番号：97A0380028
超低電圧VLSI用ダイナミックしきい値電圧MOSFET(DTMOS)
Dynamic Threshold-Voltage MOSFET(DTMOS) for Ultra-Low Voltage VLSI.
ASSADERAGHI F
(IBM Corp., NY, USA)
,
SINITSKY D
(Univ. California, CA, USA)
,
PARKE S A
(IBM Corp., NY, USA)
,
BOKOR J
(Univ. California, CA, USA)
,
KO P K
(Univ. California, CA, USA)
,
HU C
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 44 号： 3 ページ： 414-422 発行年： 1997年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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