前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902148224644689
整理番号：95A0394226
半導体デバイス特集 携帯電話用n-/n2段リセスPower GaAs FET
Special Issue on Semiconductor Devices. Step-recessed Gate Power GaAs MESFETs with a Step-doped Profile for Hand-held Phones.
斎藤靖雄
(NEC)
,
東晃司
(NEC)
,
川端隆弘
(NEC関西)
,
新宮善蔵
(NEC関西)
,
麻埜和則
(NEC ULSIデバイス開研)
,
高橋英匡
(NEC ULSIデバイス開研)
,
猪砂佳子
(NEC 関西エレクトロニクス研)
,
岩田直高
(NEC 関西エレクトロニクス研)
資料名：
NEC技報
(NEC Technical Journal)
巻： 48 号： 3 ページ： 167-168 発行年： 1995年03月
JST資料番号： G0475B ISSN： 0285-4139 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。