前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902148241676900
整理番号：94A0129178
デバイス品質のSiO2/Si界面形成における熱緩和現象
Thermal Relaxation Phenomena in the Formation of Device-Quality SiO2/Si Interfaces.
LUCOVSKY G
(North Carolina State Univ., North Carolina, USA)
,
BJORKMAN C H
(North Carolina State Univ., North Carolina, USA)
,
YASUDA T
(North Carolina State Univ., North Carolina, USA)
,
EMMERICHS U
(Rheinisch-Westfaelische Technische Hochschule, Aachen, DEU)
,
MEYER C
(Rheinisch-Westfaelische Technische Hochschule, Aachen, DEU)
,
LEO K
(Rheinisch-Westfaelische Technische Hochschule, Aachen, DEU)
,
KURZ H
(Rheinisch-Westfaelische Technische Hochschule, Aachen, DEU)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 32 号： 12B ページ： 6196-6199 発行年： 1993年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。