文献
J-GLOBAL ID:200902148328338091
整理番号:00A0192698
ナノメータスケールでのSi3N4からSiOxへの変化
Nanometer-scale conversion of Si3N4 to SiOx.
著者 (8件):
CHIEN F S-S
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG J-W
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN S-W
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHOU Y-C
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN T T
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
GWO S
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHAO T-S
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
HSIEH W-F
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
76
号:
3
ページ:
360-362
発行年:
2000年01月17日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)