文献
J-GLOBAL ID:200902148397307840
整理番号:01A0398840
Pt-パッシベートSi上にアルコキシにより作製したCaBi4Ti4O15薄膜の強誘電特性
Ferroelectric properties of alkoxy-derived CaBi4Ti4O15 thin films on Pt-passivated Si.
著者 (4件):
KATO K
(National Industrial Res. Inst. Nagoya, Nagoya, JPN)
,
SUZUKI K
(National Industrial Res. Inst. Nagoya, Nagoya, JPN)
,
NISHIZAWA K
(National Industrial Res. Inst. Nagoya, Nagoya, JPN)
,
MIKI T
(National Industrial Res. Inst. Nagoya, Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
78
号:
8
ページ:
1119-1121
発行年:
2001年02月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)