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文献
J-GLOBAL ID：200902148470350163
整理番号：00A0388981
真空反応性蒸着によるSi(111)上のウルツ鉱型GaNのエピタキシャル成長
Epitaxial growth of wurtzite GaN on Si(111) by a vacuum reactive evaporation.
ZHANG H
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
,
YE Z
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
,
ZHAO B
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 87 号： 6 ページ： 2830-2834 発行年： 2000年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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