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文献
J-GLOBAL ID：200902148593794694
整理番号：97A0704648
4H炭化けい素中のイオン化速度および臨界電場
Ionization rates and critical fields in 4H silicon carbide.
KONSTANTINOV A O
(ABB Corporate Res., Kista, SWE)
,
WAHAB Q
(ABB Corporate Res., Kista, SWE)
,
NORDELL N
(ABB Corporate Res., Kista, SWE)
,
LINDEFELT U
(ABB Corporate Res., Kista, SWE)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 1 ページ： 90-92 発行年： 1997年07月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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