文献
J-GLOBAL ID:200902148611083067
整理番号:00A0192669
シリコン基板上の選択領域に蒸着した青色GaN-InGaN多重量子井戸発光ダイオード
Selective area deposited blue GaN-InGaN multiple-quantum well light emitting diodes over silicon substrates.
著者 (8件):
YANG J W
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
LUNEV A
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
SIMIN G
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
CHITNIS A
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
SHATALOV M
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
KHAN M A
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
VAN NOSTRAND J E
(AFRL, Ohio)
,
GASKA R
(Sensor Electronic Technol. Inc., New York)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
76
号:
3
ページ:
273-275
発行年:
2000年01月17日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)