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文献
J-GLOBAL ID：200902148652916499
整理番号：97A0964074
1200V MCCT 新しいコンセプトの3端子MOSゲートサイリスタ
1200V MCCT: A new concept three terminal MOS-gated thyristor.
IWAMURO N
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Matsumoto, JPN)
,
IWAANA T
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Matsumoto, JPN)
,
HARADA Y
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Matsumoto, JPN)
,
SEKI Y
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Matsumoto, JPN)
資料名：
Proceedings of the 9th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1997
(Proceedings of the 9th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1997)
ページ： 245-246 発行年： 1997年
JST資料番号： K19970550 ISBN： 0-7803-3994-0 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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