文献
J-GLOBAL ID:200902148695556160
整理番号:00A0861666
シリコン中の成長欠陥の水素アニーリングにより誘導された形態変化の深さ効果
Depth Effect of the Morphology Change Induced by Hydrogen Annealing of Grown-in Defects in Silicon.
著者 (4件):
FUJIMORI H
(Toshiba Ceramics Co. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
MATSUSHITA H
(Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
,
OOSE I
(Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
,
OKABE T
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
147
号:
9
ページ:
3508-3510
発行年:
2000年09月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)