文献
J-GLOBAL ID:200902148903370555
整理番号:93A0424301
黄銅鉱構造Cu-In-Se薄膜の価電子操作とホモ接合ダイオード作製
Valence manipulation and homojunction diode fabrication of chalcopyrite structure Cu-In-Se thin films.
著者 (4件):
KOHIKI S
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Osaka, JPN)
,
NISHITANI M
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Osaka, JPN)
,
NEGAMI T
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Osaka, JPN)
,
WADA T
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Osaka, JPN)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
226
号:
1
ページ:
149-155
発行年:
1993年04月15日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)