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文献
J-GLOBAL ID：200902148953656387
整理番号：98A0005072
InGaAs量子井戸に基づいたヘテロ接合フォトトランジスタの性能に対する歪緩和効果の比較研究
A Comparative Study of Strain Relaxation Effects on the Performance of InGaAs Quantum-Well-Based Heterojunction Phototransistors.
GHISONI M
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg)
,
SJOELUND O
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg)
,
LARSSON A
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg)
,
THORDSON J
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg)
,
ANDERSSON T
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg)
,
WANG S M
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg)
,
HART L
(Imperial Coll., London, GBR)
資料名：
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 3 号： 3 ページ： 768-779 発行年： 1997年06月
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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