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文献
J-GLOBAL ID：200902148956166445
整理番号：95A0278493
パルスレーザアニーリングとリモートプラズマCVDを用いて低温プロセスで形成した高性能ポリSiTFT
High Performance Poly-Si TFTs Fabricated Using Pulsed Laser Annealing and Remote Plasma CVD with Low Temperature Processing.
KOHNO A
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
SAMESHIMA T
(Sony Research Center, Yokohama, JPN)
,
SANO N
(Sony Research Center, Yokohama, JPN)
,
SEKIYA M
(Sony Research Center, Yokohama, JPN)
,
HARA M
(Sony Research Center, Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 42 号： 2 ページ： 251-257 発行年： 1995年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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