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文献
J-GLOBAL ID：200902149140487797
整理番号：02A0674223
シリコンおよび各種金属基板上の原子層堆積により成長させたAl2O3薄膜の電気特性評価
Electrical characterization of thin Al2O3 films grown by atomic layer deposition on silicon and various metal substrates.
GRONER M D
(Univ. Colorado, CO, USA)
,
ELAM J W
(Univ. Colorado, CO, USA)
,
FABREGUETTE F H
(Univ. Colorado, CO, USA)
,
GEORGE S M
(Univ. Colorado, CO, USA)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 413 号： 1/2 ページ： 186-197 発行年： 2002年06月24日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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