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文献
J-GLOBAL ID：200902149198504020
整理番号：02A0941376
原子層堆積によるHf基ゲート絶縁体におけるAl2O3添加の制御による結晶化の抑制
Suppressed crystallization of Hf-based gate dielectrics by controlled addition of Al2O3 using atomic layer deposition.
HO M-Y
(National Univ. Singapore, SGP)
,
GONG H
(National Univ. Singapore, SGP)
,
WILK G D
(Agere Systems, New Jersey)
,
GREEN M L
(Agere Systems, New Jersey)
,
LIN W H
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP)
,
SEE A
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP)
,
LAHIRI S K
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP)
,
RAEISAENEN P I
(ASM America Inc., Arizona)
,
GUSTAFSSON T
(Rutgers Univ., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 22 ページ： 4218-4220 発行年： 2002年11月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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