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J-GLOBAL ID：200902149325597475 整理番号：98A0861495

局所応力を用いたシリコン-オン-絶縁体トランジスタとバルクシリコントランジスタのホール移動度の改善

Hole Mobility Improvement in Silicon-on-Insulator and Bulk Silicon Transistors Using Local Strain.

著者 (4件)：

TIWARI S

(IBM Res. Div., NY)

FISCHETTI M V

(IBM Res. Div., NY)

MOONEY P M

(IBM Res. Div., NY)

WELSER J J

(IBM Res. Div., NY)

資料名：

Technical Digest. International Electron Devices Meeting (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

巻： 1997 ページ： 939-941 発行年： 1997年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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