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文献
J-GLOBAL ID:200902149328305661   整理番号:94A0028471

n型シリコンエピ層の四探針抵抗率経時変化の調査 安定した四探針測定法の提案

Investigation of Time-Dependent Four-Point-Probe(4PP) Resistivity on N-Type Silicon Epitaxial Wafers.
著者 (3件):
三谷清
(信越半導体)
斉須重徳
(信越半導体)
片山正健
(信越半導体)

資料名:
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)

巻: 45th  ページ: 106-111  発行年: 1993年12月 
JST資料番号: F0108B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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