文献
J-GLOBAL ID:200902149441998495
整理番号:02A0267498
高抵抗率SiO2/Si基板上のレーザアブレーションエピタキシャルNa0.5K0.5NbO3薄膜の低周波およびマイクロ波特性
Low-frequency and microwave performances of laser-ablated epitaxial Na0.5K0.5NbO3 films on high-resistivity SiO2/Si substrates.
著者 (4件):
ABADEI S
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE)
,
GEVORGIAN S
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE)
,
CHO C-R
(Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE)
,
GRISHIN A
(Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
91
号:
4
ページ:
2267-2276
発行年:
2002年02月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)