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文献
J-GLOBAL ID：200902149449562424
整理番号：99A0326729
選択領域有機金属気相エピタクシーにより作製したGaAs単一電子トランジスタとその単一電子論理回路への応用
GaAs Single Electron Transistors Fabricated by Selective Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Their Application to Single Electron Logic Circuits.
NAKAJIMA F
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
KUMAKURA K
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
MOTOHISA J
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
FUKUI T
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 1B ページ： 415-417 発行年： 1999年01月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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