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文献
J-GLOBAL ID：200902149499861430
整理番号：96A0983153
薄膜トランジスタ配線用の高い熱安定性をもつ低抵抗Al-RE(RE=La,Pr,Nd)合金薄膜
Low resistivity Al-RE (RE=La,Pr, and Nd) alloy thin films with high thermal stability for thin-film-transistor interconnects.
TAKAYAMA S
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
TSUTSUI N
(ITES Co., Ltd., Shiga, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 14 号： 5 ページ： 3257-3262 発行年： 1996年09月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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