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文献
J-GLOBAL ID：200902149670454393
整理番号：00A0437436
Characterization of metastable hydrogen-related defects in n-GaAs by isothermal constant-capacitance-voltage transient spectroscopy.
TOKUDA Y
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
,
KAMIYA K
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
,
OKUMURA T
(Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 210 号： 1/3 ページ： 260-263 発行年： 2000年03月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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