前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:200902149791807269   整理番号:00A0644346

金属を埋め込んだGaInAs/InPヘテロ接合バイポーラトランジスタの初めての作製とベース-コレクタ容量の減少

First Fabrication of GaInAs/InP Buried Metal Heterojunction Bipolar Transistor and Reduction of Base-Collector Capacitance.
著者 (5件):
ARAI T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
HARADA Y
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
YAMAGAMI S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
MIYAMOTO Y
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
FURUYA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 39  号: 6A  ページ: L503-L505  発行年: 2000年06月01日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。