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文献
J-GLOBAL ID：200902149791807269
整理番号：00A0644346
金属を埋め込んだGaInAs/InPヘテロ接合バイポーラトランジスタの初めての作製とベース-コレクタ容量の減少
First Fabrication of GaInAs/InP Buried Metal Heterojunction Bipolar Transistor and Reduction of Base-Collector Capacitance.
ARAI T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
HARADA Y
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMAGAMI S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MIYAMOTO Y
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
FURUYA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 6A ページ： L503-L505 発行年： 2000年06月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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