文献
J-GLOBAL ID:200902149824336496
整理番号:00A0651202
CH4/H2反応性イオンエッチングで作製したGaInAsP/InP多重層状量子細線レーザ
GaInAsP/InP Multiple-Layered Quantum-Wire Lasers Fabricated by CH4/H2 Reactive-Ion Etching.
著者 (5件):
NUNOYA N
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
YASUMOTO H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TAMURA S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ARAI S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
39
号:
6A
ページ:
3410-3415
発行年:
2000年06月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)