文献
J-GLOBAL ID:200902149833981787
整理番号:94A0723834
高分解能X線回折と透過形電子顕微鏡によるSbを多量にドープしたSiの特性評価
Characterization of highly Sb-doped Si using high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy.
著者 (4件):
RADAMSON H H
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
SARDELA M R JR
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HULTMAN L
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HANSSON G V
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
76
号:
2
ページ:
763-767
発行年:
1994年07月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)