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文献
J-GLOBAL ID：200902149922183940
整理番号：02A0573492
電気的劣化した4H-SiC p+/nー/n+ダイオードの構造欠陥
Structural defects in electrically degraded 4H-SiC p+/n-/n+ diodes.
PERSSON P O A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HULTMAN L
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JACOBSON H
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
BERGMAN J P
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JANZEN E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
MOLINA-ALDAREGUIA J M
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
CLEGG W J
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
TUOMI T
(Helsinki Univ. Technol., FIN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 80 号： 25 ページ： 4852-4854 発行年： 2002年06月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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