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文献
J-GLOBAL ID：200902150036459690
整理番号：95A0447921
低温CMOS薄膜トランジスタに対するAs堆積の多結晶シリコン膜の応用
Application of As-Deposited Poly-Crystalline Silicon Films to Low Temperature CMOS Thin Film Transistors.
MIYASAKA M
(Seiko Epson Corp., Nagano, JPN)
,
KOMATSU T
(Seiko Epson Corp., Nagano, JPN)
,
SHIMODAIRA A
(Seiko Epson Corp., Nagano, JPN)
,
YUDASAKA I
(Seiko Epson Corp., Nagano, JPN)
,
OHSHIMA H
(Seiko Epson Corp., Nagano, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 34 号： 2B ページ： 921-926 発行年： 1995年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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