文献
J-GLOBAL ID:200902150057049743
整理番号:94A0230527
Resonant interband and intraband tunneling in InAs/AlSb/GaSb double barrier diodes.
著者 (6件):
HUBER J L
(Yale Univ., Connecticut)
,
KRAMER G
(Motorola Inc., Arizona)
,
FERNANDO C J L
(Univ. Texas at Dallas, Texas)
,
REED M A
(Yale Univ., Connecticut)
,
ADAMS M
(Motorola Inc., Arizona)
,
FRENSLEY W R
(Univ. Texas at Dallas, Texas)
資料名:
Proceedings. IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits, 1993
(Proceedings. IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits, 1993)
ページ:
299-306
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19940213
ISBN:
0-7803-0895-6
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)