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文献
J-GLOBAL ID：200902150193972555
整理番号：93A0845527
Si(001)表面上の熱酸化によるSiO2薄膜中のエピタキシャル微結晶性のX線回折による証拠
X-ray diffraction evidence for epitaxial microcrystallinity in thermally oxidized SiO2 thin films on the Si(001) surface.
TAKAHASHI I
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SHIMURA T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HARADA J
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 5 号： 36 ページ： 6525-6536 発行年： 1993年09月06日
JST資料番号： B0914B ISSN： 0953-8984 CODEN： JCOMEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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