文献
J-GLOBAL ID:200902150244598505
整理番号:93A0774464
GaAs上のInAs,InP及びGaPの臨界厚さのX線干渉効果と透過電子顕微鏡法による決定
Critical thickness determination of InAs,InP and GaP on GaAs by X-ray interference effect and transmission electron microscopy.
著者 (5件):
MAZUELAS A
(Centro Nacional de Microelectr<span style=text-decoration:overline>o ́</span>nica, Madrid, ESP)
,
GONZALEZ L
(Centro Nacional de Microelectr<span style=text-decoration:overline>o ́</span>nica, Madrid, ESP)
,
PONCE F A
(Xerox Palo Alto Research Center, California, USA)
,
TAPFER L
(CN per la Ricerca e lo Sviluppo dei Materiali, Mesagne (BR), ITA)
,
BRIONES F
(Centro Nacional de Microelectr<span style=text-decoration:overline>o ́</span>nica, Madrid, ESP)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
131
号:
3/4
ページ:
465-469
発行年:
1993年08月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)