文献
J-GLOBAL ID:200902150310693026
整理番号:02A0889174
HClフリー選択エピタクシーによって形成した高濃度ベースを用いた,190-GHz fT,130-GHz fmax SiGe HBT
190-GHz fT, 130-GHz fmax SiGe HBTs with heavily doped base formed by HCl-free selective epitaxy.
著者 (7件):
KIYOTA Y
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HASHIMOTO T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
UDO T
(Hitachi ULSI Systems, Co. Ltd.)
,
KODAMA A
(Hitachi Device Engineering, Co. Ltd.)
,
SHIMAMOTO H
(Hitachi Device Engineering, Co. Ltd.)
,
HAYAMI R
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
WASHIO K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
(Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting)
巻:
2002
ページ:
139-142
発行年:
2002年
JST資料番号:
W0105A
ISSN:
1088-9299
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)