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文献
J-GLOBAL ID：200902150401935499
整理番号：95A0897785
窒素の原料としてアンモニアを用いて分子ビームエピタクシーによって高い成長速度で成長させたGaN
GaN grown by molecular beam epitaxy at high growth rates using ammonia as the nitrogen source.
YANG Z
(Columbia Univ., New York)
,
LI L K
(Columbia Univ., New York)
,
WANG W I
(Columbia Univ., New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 12 ページ： 1686-1688 発行年： 1995年09月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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