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文献
J-GLOBAL ID：200902150452608751
整理番号：94A0463697
GaN,AlN及びInNの低バイアス電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング
Low bias electron cyclotron resonance plasma etching of GaN, AlN, and InN.
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
,
ABERNATHY C R
(Univ. Florida, Florida)
,
REN F
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 64 号： 17 ページ： 2294-2296 発行年： 1994年04月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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