文献
J-GLOBAL ID:200902150594055881
整理番号:95A0382775
シリコンの酸化 VLSIゲート誘電体
Oxidation of silicon: the VLSI gate dielectric?
著者 (2件):
SOFIELD C J
(AEA Technology, Oxon, GBR)
,
STONEHAM A M
(AEA Technology, Oxon, GBR)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
10
号:
3
ページ:
215-244
発行年:
1995年03月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)