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文献
J-GLOBAL ID：200902150620856600
整理番号：97A1019200
ゾル-ゲル法によるSrBi2Ta2O9薄膜の作製と誘電特性
Preparation and Dielectric Properties of SrBi2Ta2O9 Thin Films by Sol-Gel Method.
HAYASHI T
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
HARA T
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
TAKAHASHI H
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 9B ページ： 5900-5903 発行年： 1997年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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