文献
J-GLOBAL ID:200902150642439077
整理番号:93A0788448
TlInX2(X=Se,Te)層状半導体の電気伝導率に対する高圧効果
Effect of High Pressure on the Electrical Conductivity of TlInX2 (X=Se,Te) Layered Semiconductors.
著者 (6件):
RABINAL M K
(Indian Inst. Science, Bangalore)
,
TITUS S S K
(Indian Inst. Science, Bangalore)
,
ASOKAN S
(Indian Inst. Science, Bangalore)
,
GOPAL E S R
(National Physical Lab., New Delhi)
,
GODZAEV M O
(Inst. Physics, Azerbaijan Academy of Sciences, Baku)
,
MAMEDOV N T
(Inst. Physics, Azerbaijan Academy of Sciences, Baku)
資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻:
178
号:
2
ページ:
403-408
発行年:
1993年08月01日
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)