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文献
J-GLOBAL ID:200902150642439077   整理番号:93A0788448

TlInX2(X=Se,Te)層状半導体の電気伝導率に対する高圧効果

Effect of High Pressure on the Electrical Conductivity of TlInX2 (X=Se,Te) Layered Semiconductors.
著者 (6件):
RABINAL M K
(Indian Inst. Science, Bangalore)
TITUS S S K
(Indian Inst. Science, Bangalore)
ASOKAN S
(Indian Inst. Science, Bangalore)
GOPAL E S R
(National Physical Lab., New Delhi)
GODZAEV M O
(Inst. Physics, Azerbaijan Academy of Sciences, Baku)
MAMEDOV N T
(Inst. Physics, Azerbaijan Academy of Sciences, Baku)

資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Research  (Physica Status Solidi. B. Basic Research)

巻: 178  号:ページ: 403-408  発行年: 1993年08月01日 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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