文献
J-GLOBAL ID:200902150808993264
整理番号:01A0686447
低抵抗n型ダイヤモンド半導体についてのダイヤモンド中の水素関連複合欠陥に関する理論的研究
Theoretical study of hydrogen-related complexes in diamond for low-resistive n-type diamond semiconductor.
著者 (3件):
NISHIMATSU T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KATAYAMA-YOSHIDA H
(Osaka Univ., Osaka-fu, JPN)
,
ORITA N
(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
資料名:
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻:
302/303
ページ:
149-154
発行年:
2001年08月
JST資料番号:
H0676B
ISSN:
0921-4526
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)