文献
J-GLOBAL ID:200902150829676951
整理番号:00A0037088
薄いゲート酸化膜の信頼性を監視するための新しいCOCOS(半導体のコロナ酸化特性)法
New COCOS(Corona Oxide Characterization of Semiconductor) method for monitoring the reliability of thin gate oxides.
著者 (7件):
WILSON M
(Semiconductor Diagnostics, Inc., FL)
,
LAGOWSKI J
(Semiconductor Diagnostics, Inc., FL)
,
SAVTCHOUK A
(Semiconductor Diagnostics, Inc., FL)
,
JASTRZEBSKI L
(Univ. South Florida, FL)
,
D’AMICO J
(Univ. South Florida, FL)
,
DEBUSK D K
(Cirent Semiconductor, FL)
,
BUCZKOWSKI A
(Mitsubishi Silicon America, OR)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
3895
ページ:
373-384
発行年:
1999年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)