文献
J-GLOBAL ID:200902150990003487
整理番号:99A0948464
シリコンの空孔-ゲッタリング:空孔とヘリウム注入
Vacancy-Gettering in Silicon: Cavities and Helium-Implantation.
著者 (9件):
CORNI F
(Univ. Modena, Modena, ITA)
,
TONINI R
(Univ. Modena, Modena, ITA)
,
FRABBONI S
(Univ. Modena, Modena, ITA)
,
NOBILI C
(Univ. Modena, Modena, ITA)
,
CALZOLARI G
(Univ. Modena, Modena, ITA)
,
MASETTI S
(Univ. Modena, Modena, ITA)
,
TAMAROZZI P
(Univ. Modena, Modena, ITA)
,
PAVIA G
(ST Microelectronics, Agrate Brianza(MI), ITA)
,
CEROFOLINI G F
(ST Microelectronics, Catania, ITA)
資料名:
Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena
(Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena)
巻:
69/70
ページ:
229-233
発行年:
1999年
JST資料番号:
T0583A
ISSN:
1012-0394
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)