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文献
J-GLOBAL ID：200902151024316114
整理番号：00A0397939
n-AlGaAs/GaAs電力HEMTにおけるゲート漏れ電流の抑制
Suppression of Gate Leakage Current in n-AlGaAs/GaAs Power HEMTs.
NAGAYAMA A
(Japan Radio Co., Ltd., Saitama, JPN)
,
YAMAUCHI S
(Ibaraki Univ., Ibaraki, JPN)
,
HARIU T
(Ibaraki Univ., Ibaraki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47 号： 3 ページ： 517-522 発行年： 2000年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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