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文献
J-GLOBAL ID：200902151100879166
整理番号：94A0032957
ワイドバンドギャップ半導体の衝突イオン化計算における現実的バンド構造の使用 GaAsとAlGaAsにおけるしきい値と反しきい値及びイオン化率
The use of realistic band structure in impact ionization calculations for wide bandgap semiconductors: thresholds, anti-thresholds and rates in GaAs and AlGaAs.
WILSON S P
(Univ. Durham, Durham, GBR)
,
BRAND S
(Univ. Durham, Durham, GBR)
,
BEATTIE A R
(Lower Leanassie, Inverness-shire, GBR)
,
ABRAM R A
(Univ. Durham, Durham, GBR)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 8 号： 11 ページ： 1944-1956 発行年： 1993年11月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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